场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

　　场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

　　在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

　　它具有以下特性：

　　高输入电阻：FET的输入电阻非常高，因此可以在电路中扮演信号源和负载之间的缓冲作用。

　　零偏置电流：FET的门电极与通道之间没有电流流动，因此其偏置电流为零，从而使得FET在放大小信号方面非常适用。

　　可控性好：FET的导电能力可以通过控制门电极电压来调节。因此，FET具有较好的可控性，可以在电路中被用作开关。

　　快速开关速度：由于FET没有PN结，其开关速度比双极晶体管快得多。

　　可靠性高：FET的结构简单，寿命长，可靠性高。

　　需要注意的是，FET在工作时需要注意防止静电电荷的积累，以免损坏器件。此外，FET的输入电容相对较大，需要注意驱动电路的匹配和设计，以确保FET在高频应用中的稳定性和可靠性。

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