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国产IGBT的使用已经非常成熟了，伴随着半导体领域的大力发展，目前国内涌现越来越多的优质半导体企业，飞虹半导体就是其中之一。目前飞虹半导体首发FHA40T65A型号的IGBT已经可以应用于逆变器、电机驱动、电焊机等领域的产品! IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor，GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 因此IGBT是非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。飞虹半导体生产制造的IGBT产品都是经过一系列可靠性研究才最终反馈到市场进行应用的。 目前飞虹半导体的FHA40T65A型号IGBT产品参数特点为： 1、拥有反向并行的快恢复二极管，还具备高可靠性，Trench Field Stop Ⅱ technology(出色的Vcesat饱和压降，拖尾电流非常短，关断损耗低)，拥有正温度系数。 2、FHA40T65A的封装形式是TO-3PN，其具有40A, 650V, VCEsat典型值：1.51V，<1.85V;IC (Tc=100℃)：40A;Bvces：650V;IF (Tc=25℃)：40A;IF (Tc=100℃)：20A。 3、FHA40T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间能做出来良好的权衡。
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