图：功率二极管结构示意图
功率二极管的结构如图所示，其核心部分是PN结，为了提高耐压水平，采用PIN结构，其中N-区的厚度和掺杂水平表征了二极管的耐压水平;而为了提高载流能力，功率二极管大都采用垂直导电结构，可以让硅片中流过电流的有效面积增大。PN结反偏时，外电场方向和内电场方向相同，抑制扩散运动，促进漂移运动，但是因为少子的浓度很小，所以这种漂移电流很小，只产生很小的反向漏电流，PN结处于截止状态。不加外接电压时，多子的扩散运动会形成方向从N区指向P区内电场(空穴由P区扩散至N区，电子由N区扩散至P区)，能够阻挡扩散运动，促进漂移运动，二者平衡时形成空间电荷区(内电场/自建电场)又称为耗尽层或阻挡层。空间电荷区中的电场方向从N区指向P区。当空间电场由高掺杂的N+区承受，即穿透了漂移区时称为穿透型(PT)二极管;反之，非穿透型(NPT)二极管中，空间电场无法穿透N-漂移区。电力二极管中承受反向电压的主要是漂移区，因此漂移区的厚度和掺杂程度直接影响二极管的耐压值，然而越厚的漂移区伴随的缺点是导通损耗就越大。
综合整理自电范儿、 头条号李工谈元器件、壹芯微
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