此电路选择较大的R3和较小的R5及适当的C2使用三极管Q1慢关快开(在IGBT导通前关断，在IGBT关断后导通)，这样下面的电路就与IGBT的驱动完全独立开来了，R4，D4的目的是防止Q1有过高的Veb电压。此钳位电路适用于小功率自举电路。
目前已经驱动芯片内部集成了米勒钳位功能，可极大减少外部器件，简化布局布线。如下图Dcl,e是外部对电源钳位二极管，集成到芯片内部(Dcl)。

设计注意点：
1、 D2要选择肖特基二极管，电流满足驱动要求。
2、 PNP三极管选择速度快，延迟小，高增益，同时有一定的电流通流能力。
3、 要保证从IGBT门极至二极管到电源电容C1至IGBT发射极的回路最小。
4、电容及三极管一定放在IGBT的门极处。
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