说明：主要存在于单独MOS中，这三种叫法意思都一样。本文以NMOS来说明。

种类：

分别作用：

①主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。

②其一：保护DS极，其二：起续流二极管作用，其三：为过流或电感提供反向通路，其四：防止D、S极接反、其五：隔离。

各自应用：防止反接

(1) 正接时，开始体二极管导通，“3”位置电压为0.6V左右，“1”位置电压为Vcc，Vgs > 阀值电压，Q1导通，体二极管被短路。反接时，Q1反偏，Vgs=0，电路不通。

(2) 正接时，体二极管导通，“2”位置电压为19.4V，“4”位置电压为0，Q2导通，然后体二极管被短路。反接时电路不通。

注意：增强型NMOS加栅压后电场形成，电流的方向在D、S中是任意的。此处与通常的电子开关接法不一样，体二极管在电子开关中主要起关断作用。D、S在这两种应用中接法正好相反。

隔离作用：

控制信号来自电源适配器处，当插上适配器时Q2截止，负载由适配器供电;当取下适配器时，栅极电压为0，Q2导通，此时由电池供电。

另外说明：在高速开关时由于体二极管的速度过慢和损耗大，通常会管外并联快速恢复或肖特基二极管。