上一期我们一起讲到了共射极放大电路的图解分析法，局限性还是很大的，实际中，我们不能每次分析三极管的时候都是画图吧，那多不方便。画图导致的误差还是挺大的，更何况，这个画图还很麻烦。自然我们就会想到是不是还有其他的方法。

没错，就是我们今天要讲的微变等效分析法。晶体三极管是非线性元件，微变等效分析就是把它等效成了线性元件来分析，具体怎么个等效我们下面详细介绍到。等效思想：输入的交流小信号幅度比较小，在输入输出特性曲线上我们就近似用直线来代替了。也就是说，在这个小范围内，三极管的电压和电流的变化关系就认为是线性的。

之后的学习基本上都是用这个微变等效信号模型来分析例题的，这个一定要掌握。小编也不是专业人士，说的可能不是让大家很明白，希望大家谅解。

我们把三极管这个非线性的元件，要微变等效成线性的，下面的思路是看成一个二端口网络。

有这样的一个关系，然后两边取全微分，得到一个H参数的表达式。

微变等效并不是交流小信号单独作用时，电路的等效状态。还是直流状态下，引起的Q点，我们在Q点处进行分析得来的。然后我们根据这些H参数，把三极管的二端口网络内部的连接结构可以表示出来了。

还可以继续简化，简化成下面的样子。那几个参数很小，我们就省略不考虑了。

我们看看rbe这个电阻应该怎么算。

rbb'是基区的阻值，基区浓度很低的，阻值还是不小的，实际中可以通过参数手册查得。然后我们根据这个三极管的内部示意图写一个关系式，就能得出rbe了。前面我们说二极管的微变等效模型就讲到了rd=UT/ID，这里也是一样。至此我们就介绍完了微变等效模型，让我们看一看下面这个图的一个参数吧。