ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。当前正在量产的第二代SiC-SBD实现了正向电压（VF＝1.35V @25℃）。而第三代SCS3系列，VF特性得以进一步改善，而且抗浪涌电流性能IFSM也进一步提高。

通过采用JBS结构，实现高IFSM、低VF、低IR

作为SiC-SBD的第三代产品，SCS3系列为提高抗浪涌电流性能IFSM而采用了JBS（Junction Barrier Schottky）结构。另外，第二代实现的低VF特性得到进一步改善，损耗更低。由此提高了对设备异常工作时等产生的浪涌电流的耐受能力，使用时可比以往更安心。

ROHM的第二代SiC-SBD实现了当时业界最小的正向电压VF＝1.35V @25℃、1.55V @150℃。此次开发的第三代在25℃时的VF与第二代相同，均为1.35V，但150℃时的VF则成功降低至1.44V。这使得高温条件下的传导损耗能够进一步降低，从而提高效率。

一般情况下，当试图降低正向电压时，反向漏电流IR会增加。第三代SiC-SBD通过采用JBS结构成功攻克了该课题，降低正向电压的同时成功地将漏电流抑制在最低。与第二代相比，在额定电压650V、Tj=150℃时漏电流降低至约1/15。

审核编辑 黄宇