本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。

同时具备MOSFET和IGBT优异特性的Hybrid MOS GN系列

Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。

下面为IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。

如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好特性。在大电流范围斜率陡升，可流过更多的电流。这表示该范围的导通电阻比SJ MOSFET低，虽然不能说是与IGBT同等，但Hybrid MOS大大改善了SJ MOSFET大电流范围的特性。

5个项目分5个等级进行评估的稍详细的比较图。从图中清晰可知，Hybrid MOS具备全能型特性。

与SJ MOSFET 相比，Hybrid MOS在高温下的工作得到显著改善。另外，还能够在更大电流下工作。这与前面提到的导通电阻的温度特性密切相关。

右图表示Hybrid MOS与SJ MOSFET的导通电阻Ron的详细温度特性。SJ MOSFET在高温时，相对于ID的VDS、即Ron显著增加。所以，当周围温度高时不必言说，当ID增加时可能会产生发热增加、芯片温度上升、Ron增加、故芯片温度进一步上升的“热失控”状态。而Hybrid MOS即使在高温状态下，Ron及Ron的变动非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A条件下的比较中，Ron换算结果减少达62%。