场效应管的分类

场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料，又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格外，还有加强型与耗尽型之分。如图所示。

1．结型场效应管（简称JFET）

N沟道结型场效应管的基体是一块N型硅资料。从基体引出两个电极分别叫源极（s）和漏极（D）。在基体两边各附一小片P型资料，其引出的电极叫栅极（G）。这样，在沟道和栅极之间构成厂两个PN结，当栅极开路时，沟道就相当于一个电阻，不同型号的管子其阻值相同，普通大约为数百欧到千欧。图所示为结型场效应管的构造与符号。

2．绝缘栅型场效应管（简称MOSFET）

依据绝缘层所用资料之不同，绝缘栅型场效应管有多品种型，目前应用最普遍的一种是以二氧化硅（Si02）为绝缘层的金属—氧化物—半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。

绝缘栅型场效应管分为加强型与耗尽型，每一类又有N沟道、P沟道之分。

绝缘栅型场效应管的特性是输人电阻高，便于做成集成电路。在一块N型硅片上有两个相距很近浓度很高的P扩散区，分别为源极和漏极。在源区与漏区之间的硅片上，有一层绝缘二氧化硅，绝缘层上掩盖着金属铝，这就是栅极。栅极和其他电极之间是绝缘的，所以称为绝缘栅型场效应管。由于源、栅之间有一层氧化层，这种管子根本上没有栅极电流，因而输入阻抗十分高。图所示为绝缘栅型场效应管的构造与场效应管符号。

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