MOS管能反向导通吗?什么时候要用到正反向导通
时间:2019-11-10 16:59来源:未知 作者:admin 点击:
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MOS管的D、S极之间存在寄生二极管,被称为体二极管。 从MOS管的结构示意也可以看出寄生二极管的存在,如下图: 寄生二极管是由生产工艺造成的,MOS管的漏极从硅片底片引出,从而产
MOS管的D、S极之间存在寄生二极管,被称为体二极管。
从MOS管的结构示意也可以看出寄生二极管的存在,如下图:
寄生二极管是由生产工艺造成的,MOS管的漏极从硅片底片引出,从而产生了寄生的二极管。
寄生二极管可以起到以下两个作用:
112、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。
综上,功率型MOS管由于生产工艺的原因,其内部存在寄生二极管,也称体二极管,当将反向电压作用于D、S极时,其寄生二极管会反向导通。在MOS管开关瞬间时,比如采用MOS管实现的桥式驱动电路中,寄生二极管可用导通反向电流,避免反向高压击穿MOS管。
MOS管和三极管不同,是可以反向导通的
MOS管有三个脚,栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。其中栅极(G)为导通的控制引脚。MOS分为N沟道和P沟道两种。MOS管导通时,电流可以从漏极(D)流向源极(S),电流也可以从源极(S)流向漏极(D)。
MOS管导通分析
在增强型MOS中,漏极(D)和源极(S)之间会有一个背靠着的PN结,栅极(G)没有施加电压时,总会有一个PN结反偏,导通不了。当在栅极(G)施加电压后,栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容,门极电压等于对电容充电,受电压吸引,电容另一边聚集大量电子,形成导电沟道,MOS管开始导通,电流可以从漏极(D)流向源极(S),也可以从源极(S)流向漏极(D)。
MOS管正、反向导通应用
充电宝大家都用过了吧?有一种充电宝只有一个接口,充电和放电共用这个接口,它会自识别插入的是充电器还是手机,接上充电器时,自动对充电宝进行充电;接上手机时,自动切换为放电,对手机进行充电。这种设计就需要用到MOS的双向导通特性了,充电时,电流从MOS的源极(S)流向漏极(D),放电时,电流从漏极(D)流向源极(S)。
MOS管驱动电路
MOS是电压驱动型器件,驱动电压满足它的门极开启电压(Vgs)就可以让它导通。
N沟道MOS管:DR为高电平时导通
P沟道MOS管:DR为低电平时导通
在设计MOS驱动电路时,一定要注意它的门极开启电压(Vgs)。如果门极驱动电压不足,会导致MOS导通不完全,内阻增大,发热量增加。
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