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MOS管驱动电路分析

时间:2019-10-24 20:26来源:未知 作者:admin 点击:
MOS管(场效应管)是电压驱动型器件,只要驱动电压满足要求就可以驱动MOS管导通 MOS管是电压驱动型元件,在设计MOS管驱动电路时,需要注意所选用MOS的导通维持电压(Vgs)。如果驱动电

MOS管(场效应管)是电压驱动型器件,只要驱动电压满足要求就可以驱动MOS管导通
MOS管是电压驱动型元件,在设计MOS管驱动电路时,需要注意所选用MOS的导通维持电压(Vgs)。如果驱动电压达不到导通维持电压(Vgs),MOS管就不能稳定、可靠的导通。
MOS管驱动电路分析
在设计电子产品的时候,单片机的工作电压有可能是1.8V、3.3V、5V。因为驱动MOS管并不需要太多的电流,如果单片机IO的驱动电压合适,可以直接驱动MOS管的。比如所选择的MOS的VGS最小值为2.5V,单片机的工作电压为5V,那么IO直接驱动MOS管是完全没有问题的

N MOS管:DR为高电平时导通,DR为低电平时断开

P MOS管:DR为低电平时导通,DR为高电平时断开

如果单片机IO的驱动电压不能满足MOS管的VGS要求,比如MOS管的VGS最小为3~4.5V,而单片的工作电压为3V,如果直接用IO驱动MOS管,是不可靠的,需要加入三极管驱动。三极管是电流型的驱动器件,只要给三极管的基极提供驱动电流就可以导通,再通过三极管的集电极给MOS管提供驱动电压。

N MOS管:DR为低电平时导通,三极管截止,三极管的集电极为高电平,可以驱动MOS导通;DR为高电平时,三极管导通,三极管的集电极为低电平,N MOS管就断开了。

P MOS管:DR为高电平时导通,三极管导通,三极管的集电极为低电平,可以驱动MOS导通;DR为低电平时,三极管截止,三极管的集电极为高电平,P MOS管就断开了。

所以MOS的驱动是否加入三极管需要根据实际应用而定!并不能一概而论!

(责任编辑:admin)
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