MOSFET导通时的内阻非常小,驱动负载能力比三极管更强 CPU的GPIO直接控制MOSFET N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET导通,GPIO(DR)设置为低电平时MOSFET断开 P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET断开 不同的驱动电压,MOSFET导通时的内阻会有差异,驱动电压较低时,内阻会增大,导致MOSFET发热增大。如果CPU的工作电压较低,GPIO直接驱动MOSFET的确存在一定的风险。在设计MOSFET驱动电路时,一定要充分考虑CPU的GPIO的驱动电压 CPU驱动电压不足可以加入三极管驱动 N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,三极管截止,三极管的集电极为高电平,可以驱动N MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为高电平时,三极管导通,三极管的集电极为低电平,N MOSFET管就断开了。 P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时导通,三极管导通,三极管的集电极为低电平,可以驱动P MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为低电平时,三极管截止,三极管的集电极为高电平,P MOSFET管就断开了。 总结 |