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电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

mos管的米勒效应损耗计算(2)

时间:2017-10-10 20:27来源:未知 作者:y930712 点击:
在转换(导通或关断)过程中,栅-源极的总等效电容Ceq为: Igate=I1+I2=(Cgd(1+Av)+Cgs)dVgs/dt=CeqdVgs/dt (6) 式中(1+Av)这一项被称作米勒效应,它描述了 电子 器件中
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在转换(导通或关断)过程中,栅-源极的总等效电容Ceq为:
Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt (6)
式中(1+Av)这一项被称作米勒效应,它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时,将会产生米勒效应。
Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥? 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为:门电流Igate完全被Cds吸走,而没有电流流向Cgs。

注意数据手册中的表示方法
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd

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