电子元件2026-03-09

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为

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　　MOSFET的击穿有哪几种？ 　　Source、Drain、Gate 　　场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G

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场效应管作用的特点及工作原理 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化

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　　什么是场效应管 　　场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多

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　　场效应管的概念 　　场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多

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　　场效应管发热的原因 　　1、电路设计的问题 　　就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则

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　　mos管测量方法图解 　　场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MO

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　　场效应管是什么 　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FE

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　　场效应管的分类 　　场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

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　　直流参数 　　饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

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　　场效应管的特点 　　与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

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　　场效应管与晶体管的比较 　　（1）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

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　　场效应管测量方法 　　电阻法测电极 　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

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　　场效应管的测试方法 　　结型场管脚识别 　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两

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　　场效应管的注意事项 　　（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

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　　逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热。

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