电子元件2026-03-09

　　东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布面向超低功率微控制器（MCU）开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管（TFET）。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用

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电子元件2026-03-09

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导

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电子元件2026-03-09

　　mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数

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电子元件2026-03-09

场效应晶体管（FieldEffectTransistorFET）是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。由于其所具有体积小、重量轻、功耗低、热稳定性好、无二次击穿现象以及安全工作区域宽等优点，现已成为微电子行业中的重要

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电子元件2026-03-09

有机场效应晶体管（organic fieldeffect tran-sisbor，OFET）因具有以下几个突出特点而受到研究人员的极大重视：材料来源广、可与柔性衬底兼容、低温加工、适合大批量生产和低成本等。它用途广泛，可用于全有机主动

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电子元件2026-03-09

在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。BTBT最早由Zener在1934年

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电子元件2026-03-09

  美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？

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电子元件2026-03-09

集成电路按照所使用的半导体材料，分为硅IC和化合物IC两大类，硅IC可以分为MOS型和双极结型晶体管，两者都既可以用自由电子位载流子，又可以用空穴为载流子。MOS中有不同的类型，如以电子（负：negative）为载流子

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电子元件2026-03-09

鳍式场效应晶体管（FinFET）是立体多栅器件的一种，其主要特征是由鱼鳍形（Fin）的薄层硅构成折叠的导电通道，并由双面或三面折叠包围的栅极控制，如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力，可以保

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电子元件2026-03-09

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体

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电子元件2026-03-09

MOSFET工作原理 什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。 它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型

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电路图基础2026-03-07

2N5457场效应晶体管可用做一个变压电阻，用在运算放大器的差分输入端之间。在多个十进制的电阻中，电阻的参数变化与电压成线性关系，这样可提供良好的电子增益控制。电阻的值是由运算放大器决定的。2N5457构成的压

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电工问答2026-03-07

在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。

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电子元件2026-03-05

饮用水的风险管理通常需要对流动水中的各种毒素进行持续监测。虽然二维（2D）电子传感器可以很容易地与现有自来水基础设施整合，但其经常由于器件间的差异导致传感器不准确，这是因为缺乏仅基于电子特性从预选的一

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电子元件2026-03-05

电源管理是电子系统中的的一个基本模块。智能手机、电脑和我们所熟知的绝大多数电子产品都需要这个模块去实现本身的功能。随着人们对电子产品便携性的追求，计算能力的增长，以及传感器的多样化，电源管理设计有了

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电工问答2026-03-04

场效应晶体管混频器原理及其电路 混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件和滤波网络等4部分组成，如图1所示。这里的非线性器件本身仅实现频率变换，本振信号由本机振荡器产生。若非线性器件既产生本振信

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