半导体工业工艺和产品发展趋势
电子元件2026-03-09
书接上回。上回我们讲到了在1959年,杰克·基尔比在半导体材料锗上面制作出了世界上第一个集成电路芯片,标志着半导体产业正式拉开了集成电路的时代。
电子元件2026-03-09
美格纳半导体公司宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格纳极限沟槽中压MOSFET,是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。
电子元件2026-03-09
碳化硅(SiC)技术已达到临界点,即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。
电子元件2026-03-09
H20R1203到底能不能用IRF 250代换? H20R1203和IRF250是两种不同的电力场效应晶体管。虽然它们可能在一些电路应用中具有相似的性能特点,但它们并不是完全相同的,因此不能直接互换使用。
电子元件2026-03-09
场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。根据不同的工作原理和结构,场效应晶体管可以分为三种类型:金属氧化物半导体场效应晶体管、结点场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。
一种集成低功耗pH传感器的离子敏感场效应晶体管(ISFET)
电子元件2026-03-09
据麦姆斯咨询报道,德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所(Fraunhofer IPMS)开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层,并成功将其集成到离子敏感场效应晶体管(ISFET)中。
电子元件2026-03-09
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)上桥故障是电子电路中常见的问题之一,通常指的是在电机控制系统中,由于上桥臂的MOSFET出现问题,导致电机无法在控制器的指令下正常工作。以下是对MOSFET上桥故障的分析
基于硅纳米线场效应晶体管的ALT生物传感器检测平台
电子元件2026-03-09
频繁检测血清丙氨酸氨基转移酶(ALT)的活性对于预防药物性肝损伤(DILI)至关重要。目前,ALT活性测量的金标准是一种基于吸光度的检测方法,需要在临床实验室中建立一个大型的自动化平台。由于ALT检测限于中央实
一种用于检测SARS-CoV-2的还原氧化石墨烯场效应晶体管生物传感器
电子元件2026-03-09
随着新型冠状病毒(SARS-CoV-2)的传播,对快速、准确检测和筛查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。目前,石墨烯(Graphene)场效应晶体管(FET)生物传感器在即时和精确检测方面引起了广泛的关
生物传感器助力血糖监测行业变革
电子元件2026-03-09
一、课程简介 生物传感器(Biosensor)是一种用于检测生物分子并将其浓度转换为可用信号的分析装置,其通常有两个主要组成部分:(1)生物分子识别元件/感受器(例如酶、抗体、抗原、微生物、细胞、组织、核酸等
看懂低压降稳压器(LDO)一篇就够了
电子元件2026-03-09
电源管理是电子系统中的的一个基本模块。智能手机、电脑和我们所熟知的绝大多数电子产品都需要这个模块去实现本身的功能。随着人们对电子产品便携性的追求,计算能力的增长,以及传感器的多样化,电源管理设计有了
基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
电子元件2026-03-09
近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。与相比之下,单晶AlN基器件的热阻抗降至AlN/蓝宝石基器件的1/3(
耗尽型MOSFET的符号/工作原理/类型/特性/应用场景
电子元件2026-03-09
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种电压控制器件,由源极、漏极、栅极和主体等端子构成,用于放大或切换电路内的电压,也广泛用于数字应用的
高压大电流DMOS外延区电阻率设计
电子元件2026-03-09
功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括:漏源击穿电压BVDSS,静态漏源导通电阻RDS(on),栅阈值电压VGS(th),正向跨导gfs等;交流参数包括:输入电
二维Bi₂O₂Se光电特性及其光电子器件研究进展综述
电子元件2026-03-09
二维(2D)材料由于其超薄的厚度、高度的机械柔性、可调谐的带隙以及易于定制的范德华异质结构,被广泛应用于通信、红外探测、航空航天以及生物医学等领域。其中2D Bi₂O₂Se作为一种新兴的二维层状材料,具有独特
电子元件2026-03-09
总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。
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