电子元件2026-03-09

01. 前言 电池管理系统（BatteryManagement System，BMS）的作用是智能化管理及维护各个电池单元，防止电池出现过放和过充，延长电池的使用寿命；并实时监控电池的状态，使其处于最佳的工作状态。 在BMS的硬件设

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在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成：分别是上P下N，以及上N下P。其原理图如下所示，

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由于无桥PFC拓扑主要为提高效率（省掉了整流桥及其损耗），但相对传统Boost PFC，在成本（所用MOS管和快速二极管多一倍）、控制（相对复杂）和EMC方面（EMI和surge需要额外处理才能满足要求）不具优势，因此该电路

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基础知识中 MOS 部分迟迟未整理，实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管，

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上图是一个限流恒流电路，当电流低于阈值时，输出电流由负载决定，当负载加重，输出电流达到阈值时，输出电流稳定在阈值保持恒定，负载再加重的话，输出电流也保持恒定，而输出电压Vout会随着负载加重而下降。

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在驱动MOS管时，我们希望给到MOS管栅极是标准的电压方波波形，但是在实际情况下，我们在测得的Ugs波形往往是带有振荡的。这种振荡波形会在电路线路上产生额外的噪声干扰，还造成不必要的功率损耗。

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使用高压MOS作为开关，例如下图（来自于ADI官网）LTC2949的典型应用电路中，使用高压MOS作为绝缘检测的桥臂开关；选用高压MOS的原因是成本相对比光MOS要低。

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我们知道在射频微波电路中Cascode和吉尔伯特单元是最为常见的电路结构（LNA、PA、Mixer、VGA、PS等电路中常常有使用到），那么在开聊这些稍微复杂的电路结构之前，咋门先看看下面的一个简化的电路，大家可先停下来

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01 MOS管种类&结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是

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我们知道在射频微波电路中Cascode和吉尔伯特单元是最为常见的电路结构（LNA、PA、Mixer、VGA、PS等电路中常常有使用到），那么在开聊这些稍微复杂的电路结构之前，咋门先看看下面的一个简化的电路，大家可先停下来

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  　　MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描

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　　MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 　　第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损

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　　绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（

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　　mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数

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场效应管作用的特点及工作原理 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化

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