电工基础知识

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

  • [电工基础] 浅析TSV硅转接基板的可靠性评价方法 日期:2023-09-15 21:46:34 点击:44 好评:0

    硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO 芯片 高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯...

  • [电工基础] 集成运算放大器的应用电路(5) 日期:2023-09-15 21:46:34 点击:44 好评:0

    集成运放 集成运放是由多级直接 耦合 放大电路组成的高增益 模拟 集成电路 。自从1964年美国仙童公司研制出第一个单片集成 运算放大器 μA702以来,集成运算放大器得到了广泛的应用...

  • [电工基础] 英飞凌会去美国建SiC厂吗? 日期:2023-09-15 21:46:32 点击:39 好评:0

      近日,德国碳化硅大厂—— 英飞凌 透露,他们正在考虑去美国建工厂。而此前,另一家德国碳化硅企业—— 博世 也宣布去美国生产碳化硅(.点这里.)。 2家德国巨头的举措绝非巧...

  • [电工基础] 一文讲透IGBT 模块失效的机理 日期:2023-09-15 21:46:32 点击:32 好评:0

    IGBT 模块可靠性 ——青岛佳恩 半导体 有限公司 —— 随着风力发电、 智能电网 建设、电力汽车、 高压 变频器 等新兴应用的崛起,大功率 IGBT 模块的应用越来越多。而与之相应的是...

  • [电工基础] 一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET 日期:2023-09-15 21:46:32 点击:32 好评:0

    半导体 产业网获悉:近日, 电子 科技 大学功率集成技术实验室罗小蓉团队在氧化镓器件的续流能力方提出一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET,并以“Low Reverse Conduc ti on Loss...

  • [电工基础] 概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的关键特性及驱动条 日期:2023-09-15 21:46:28 点击:34 好评:0

    SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间...

  • [电工基础] 1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行? 日期:2023-09-15 21:46:28 点击:43 好评:0

    在全球最大的 电力电子 展 PCIM Europe 2023 上,旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN( 氮化镓 )功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。 近年来,SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等宽带隙...

  • [电工基础] 二极管失效的主要原因 日期:2023-09-15 21:46:28 点击:51 好评:0

    1.电压击穿(过压) 对普通 整流二极管 来讲,只要应用电路中存在电网波动、同网中的大功率设备开启关断、雷击、开关火花、大容量的感性负载、大容量的容性负载这些情况下,瞬间...

  • [电工基础] 功率放大器基础知识科普分析 日期:2023-09-15 21:46:24 点击:35 好评:0

    在 无线通信 系统中 射频 前端是核心组件,连接 通信 收发器 和 天线 的必经之路。射频前端主要包括 功率放大器 (PA)、天线开关(Switch)、 滤波器 (Fil te r)、双工器(Duplexer和...

  • [电工基础] 基于单光子雪崩二极管阵列的成像技术研究进展 日期:2023-09-15 21:46:24 点击:33 好评:0

    单光子雪崩 二极管 以其极高的光子灵敏度以及超快的响应时间在各领域被广泛应用。随着 半导体 技术的发展,集成多个像素以及时间测量电路的单光子雪崩二极管阵列逐渐普及。成像...

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