继SiC功率 元器件 的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒 二极管 开始。 SiC 肖特基 势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“...

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开...

隔离放大器 是一种特殊的测量放大电路，其输入、输出和 电源电路 之间没有直接电路耦合，即 信号 在传输过程中没有公共的接地端。输入电路和 放大器 输出之间有欧姆隔离的器件。...

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对 二极管 最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压VF无限接近零、对温...

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si 二极管 为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代 产品 的，所以在此汇总一下...

CUR4000是为了汽车及 工业 电流 测量应用开发的，比如混合动力车和电动汽车的高电压电池监控系统。灵活的多霍尔阵列支持线性或差分磁场感应无接触和精确的电流感应高达≥2000A。...

电压跟随器有没有电压放大作用 电压跟随器（Voltage Follower）是一种基本的放大电路，它通常被设计为具有1:1的放大倍数，即输出电压等于输入电压。因此，在理想情况下，电压跟随器...

近日，岳麓山大科城第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目——《大功率碳化硅 MOSFET 及SBD 芯片技术 研究》取得重要研发突破， 芯片 综合性能赶上国际先进水平，部分指标实现领先。...

氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带的直接带隙 半导体 ，它有着很宽的直接带隙，很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性。正因其各方面都有着非常好的表现，目前在 电源...

搞工程的平时压力都不小，总失眠，疫情期间又经常早期做核酸，导致作息不规律，身体出现了问题。 平时心脏经常会扑通扑通停跳一下。 最近抽空去医院看了下，医生简单拍了几秒...