电工基础知识

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

  • [电工基础] GaN FET:提供AEC-Q101级耐用性 日期:2023-05-09 11:26:37 点击:39 好评:0

    功率GaN技术已证明可为 电源 转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场,解决方案还需要出色的耐用性,才能确保高质量和可靠性。我们必须证明, Nexperia 的GaN技术不但可以在...

  • [电工基础] 如何使用NiMotionUSBCAN转换器? 日期:2023-05-09 11:26:35 点击:45 好评:0

    在之前的文章中,我们大多讲的都是在windows 操作系统 下的应用案例,因为大多人使用的是windows系统,也熟悉如何操作。而在实际应用中,有不少客户的 电脑 系统是 linux 系统,那么在...

  • [电工基础] 碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用 日期:2023-05-09 11:26:35 点击:44 好评:0

    前 言 目前,在实现“绿色能源”的新技术革命中,众多高频 开关电源 已经开始实现高功率因数校正技术(特别是在 通信 电源 中),其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式...

  • [电工基础] 碳化硅MOS的结构与优势 日期:2023-05-09 11:26:35 点击:103 好评:0

    SiC- MOSFET SiC-MOSFET 是碳化硅 电力电子 器件研究中最受关注的器件。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性,一直被视为“理想器件”而...

  • [电工基础] SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑 日期:2023-05-09 11:26:32 点击:40 好评:0

    在上一篇文章中,简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始,将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。 关于SiC功率元器...

  • [电工基础] ADC介绍、分类及基本原理 日期:2023-05-09 11:26:32 点击:264 好评:0

    1 ADC 介绍 随着 集成电路 技术的快速发展以及工艺制程的不断进步, 数字电路 处理信息的能力愈发强大。 数字 信号 由0和1高低电平组成,易于存储,噪声容限低且抗干扰能力强,在数...

  • [电工基础] 0欧电阻、电感、电容和磁珠单点接地方法 日期:2023-05-09 11:26:32 点击:44 好评:0

    只要是地,最终都要接到一起,然后入大地。如果不接在一起就是“浮地”,存在压差,容易积累电荷,造成静电。地是参考0电位,所有电压都是参考地得出的,地的标准要一致,故各...

  • [电工基础] 非隔离型栅极驱动器与功率元器件 日期:2023-05-07 11:27:27 点击:42 好评:0

    ROHM不仅提供 电机驱动器 IC,还提供适用于 电机 驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件 IGBT 和功率 MOSFET 。 我们将先介绍 罗姆 非隔离型栅极驱动器,在介绍ROHM超级结MOSFET P...

  • [电工基础] SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低 日期:2023-05-07 11:27:27 点击:39 好评:0

    上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 下面是表示LS MOSFET 关断时的 电流 动作...

  • [电工基础] SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低 日期:2023-05-07 11:27:27 点击:45 好评:0

    上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET 桥式结构中栅极 驱动电路 的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的 电流 和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。 SiC MOSFET低边开...

栏目列表
推荐内容