1、集成 运算放大器 集成运算放大器的特点： 高增益、直接 耦合 、高输入电阻和低输出电阻的多级放大电路。 集成运算放大器结构： 集成运放结构 （1）采用四级以上的多级 放大器...

IGBT -IPM是一种集成电力模块，它由一个IGBT（可控硅反激开关）和一个IPM（ 智能 功率模块）组成。它可以用于控制电机、 变频器 、变压器等 电力电子 设备，以实现高效、精确的控制。...

一、按工作频率分类 最基本的分类方法。 二极管 根据其特性或用途分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳(稳压)二极管、发光二极管、检波二极管、高频二极管。另...

一、 二极管 V- I 特性的模型 二极管 V- I 特性的模型分为下面三种： 1、理想模型 2、恒压降模型 3、折线模型 理想模型： 理想模型 理想模型 理想模型 理想模型压降 恒压降模型（串联...

场效应管的分类（我们这里只讲MOS）： 场效应管分类 MOS管分类 MOS管电路符号：       I-V特性曲线和特性方程： N沟道耗尽型： N沟道耗尽型 N沟道耗尽型特性方程 N沟道增强型： N沟道...

全通 滤波器 工作原理 全通滤波器的工作原理是通过改变滤波器的频率响应来改变 信号 的频率特性。它通过改变滤波器的零极点位置来改变滤波器的阻带和通带，从而改变信号的频率...

达林顿 晶体管 ，这是一种高增益的双极型功率晶体管，其实质是由两只或更多晶体管复合组成的达林顿或超a对（darlington pair或Pmultip丨丨er ），复合对中一个晶体管的发射极连接到下一...

本文介绍了使用多个 电流 探头研究SiC和GaN功率 半导体 器件的电极间 电容 。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。 在高开关速度、低导通电阻...

IGBT 的上下桥臂是指IGBT的 晶体管 的两个极性，即正极和负极。正极被称为上桥臂，负极被称为下桥臂。上桥臂的 电流 是正向流动的，下桥臂的电流是反向流动的。 IGBT的上桥臂用于控...

      IGBT 单管是一种单片IGBT，它只有一个IGBT 晶体管 ，一个反向恢复二极管和一个可选的 温度传感器 。IGBT单管的封装形式比较简单，可以提供高效率，低功耗，高可靠性和高稳定性...