摘要： 氧化镓 （Ga2O3） 以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来 半导体 电力电子 领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体 SiC 和 GaN，Ga2O3的 Bali...

材料水平直接决定了器件的性能。以碳化硅、 氮化镓 等重要的第三代 半导体 材料，在大功率高频器件中具有重要的应用。碳化硅衬底 产品 通过外延和核心器件企业，制成的终端产品...

先进的 半导体 能否减少足够的温室气体排放，从而在遏制气候变化的斗争中发挥作用？答案是肯定的。这样的改变实际上正在有条不紊地进行着。 从2001年左右开始，化合物半导体 氮...

即使是未来更多代新的 半导体 研发成功，我们依然离不开“古老”的第一代半导体。 在当今这个时代， 手机 、 电脑 等 电子产品 变得越来越 智能 、越来越小巧、越来越不可或缺，...

三极管与MOS管 三极管是 电流 控制器 件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：     MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控...

在大多数电子系统中，降噪是一个重要设计问题。与功耗限制、环境温度变化、尺寸限制以及速度和精度要求一样，必须处理好无所不在的噪声因素，才能使最终设计获得成功。 这里，...

如何判断mos管工作状态 MOS管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。 MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、 半导体 (sem ic onduct or )场效应 晶体管 ，或者称是金...

在前面我们讲了， 半导体 器件主要可以分为 二极管 类和三极管类。 本文主要讲解三极管类器件的原理，以及它们在工程学上的基本应用。 毫无疑问，二极管和三极管类器件的出现，...

自1991 年第一批晶圆发布后，SiC 的发展相当缓慢，仅仅 20 年后就推出了第一个全 SiC 商用 MOSFET 。最终，是 特斯拉 及其 400V 逆变器在 2018 年将这种复合材料推向了前沿。从那时起，人们...

前言 近年来随着 智能电网 、电动汽车、高速铁路、家电产品、 工业控制 和风力、光伏发电等领域的快速发展， IGBT 器件市场需求不断扩大。国内庞大的市场基础、 潜在的 电力电子...