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摘要： 氧化镓 （Ga2O3） 以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体 SiC 和 GaN，Ga2O3的 Baliga 品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。对 Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
原文：
编辑：黄飞 (责任编辑：admin) |
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摘要： 氧化镓 （Ga2O3） 以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体 SiC 和 GaN，Ga2O3的 Baliga 品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。对 Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
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