IGBT的损耗与结温计算
时间:2024-04-04 11:58 来源:[db:来源] 作者:admin 点击:次
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【导读】与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。 这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。 为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。 还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。 本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。 损耗组成部分 根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。 IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。 准确测量这些损耗通常需要使用示波器，通过电压和电流探针监视器件运行期间的波形。 测量能量需要用到数学函数。 确定一个开关周期的总能量后，将其除以开关周期时间便可得到功耗。 IGBT开通
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