双极晶体管,双极晶体管是什么意思
电工问答2026-03-04
双极晶体管,双极晶体管是什么意思 双极晶体管 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成,它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器件,栅极(G)基本上不取电流,而晶体管的基极总要取一定的电流,所以在只允许从信
双极型晶体管原理详细介绍
电工问答2026-03-04
双极型晶体管原理详细介绍 电子和空穴两种载流子都起作用的晶体管,又称结型晶体管。
电工问答2026-03-04
什么是门极关断(GTO)晶闸管 可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称栅控晶闸管。其主要特点为,当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。普通晶闸管(SCR)靠栅极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。
电工问答2026-03-04
电力晶体管(GTR),电力晶体管(GTR)是什么意思 电力晶体 电力晶体管管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor—BJT),所以有时也称为PowerBJ
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些?
电工问答2026-03-04
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些? 电力晶体管-基本特性 1)静态特性 共发射极接法时可分为三个工作区:
电力晶体管的原理和特点是什么?
电工问答2026-03-04
电力晶体管的原理和特点是什么? 结构电力晶体管(GiantTransistor)简称GTR,结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样,有PNP和NPN两种类型,GTR通常多用NPN结构
静电感应晶闸管(SITH),静电感应晶闸管(SITH)是什么
电工问答2026-03-04
静电感应晶闸管(SITH),静电感应晶闸管(SITH)是什么意思 静电感应器件(SID)是一类新型电力半导体器件的总称,它主要包括静电感应晶体管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体
静电感应晶体管(SIT),静电感应晶体管(SIT)是什么意思
电工问答2026-03-04
静电感应晶体管(SIT),静电感应晶体管(SIT)是什么意思 静电感应晶体管(SIT),是在普通结型场效应晶体管基础上发展起来的单极型电压控制器件,有源、栅、漏三个电极,它的源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。其结
什么是静电感应晶体管
电工问答2026-03-04
什么是静电感应晶体管 静电感应晶体管 源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管,简称SIT。静电感应晶体管是一种新型器件,可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷
集成门极换流晶闸管(IGCT)是什么意思
电工问答2026-03-04
集成门极换流晶闸管(IGCT)是什么意思 集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构
集成门极换流晶闸管,IGCT的工作原理是什么?
电工问答2026-03-04
集成门极换流晶闸管/IGCT的工作原理是什么? 交流变频调速技术是电气传动的发展方向之一,它具有调速性能优越和节能效果显著两大特点,因此,在国民经济中起着越来越大的作用。就目前情况来看,变频器中较常用的电力
电工问答2026-03-04
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思 体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。 一般使用简介:
联栅晶体管(GAT)是什么意思?
电工问答2026-03-04
联栅晶体管(GAT)是什么意思? 联栅晶体管是一种新型功率开关半导体器件,简称GAT。GAT是介于双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)之间的特种器件,兼有BJT和FET的双重优点,特别适合用作荧光灯电子镇流器中的功率
电工问答2026-03-04
MOS控制晶闸管(MCT),MOS控制晶闸管(MCT)是什么意思 MOS栅极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性,可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压,成为将来在电力装置和电
电工问答2026-03-04
什么是MOS控制型晶闸管 MCT(MOS Controlled Thyristor)是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来,
电工问答2026-03-04
P沟MOSFET,P沟MOSFET是什么意思 MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理,是利用垂直的栅压VGS实
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