电工问答2026-03-04

微波电调衰减器,微波电调衰减器是什么意思 衰减器是把大电压信号衰减到一定的比例倍数（一般指功率衰减），达到安全或理想的电平值，方便测试工作，尤其在射频和微波中运用广泛。它的衰减指标，有多方面的要求，主

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微波电调衰减器主要参数定义 动态范围：指最大衰减量与最小衰减量分贝数之差，最小衰减量又称插入损耗。

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电工问答2026-03-04

什么是微波电控移相器 微波电控器件利用参数可电调的材料和器件组成的控制微波信号幅度或相位的器件。可电调的材料和器件主要有半导体二极管(如PIN管﹑变容管和肖特基管等)和铁氧体材料。控制信号幅度的器件有衰减

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电工问答2026-03-04

微波集成电路(MMIC)是什么意思 单片微波集成电路（MMIC）， 有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这

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达林顿晶体管,达林顿晶体管是什么意思 达林顿管(Darlington Transistor)又称复合管。它采用复合连接方式,将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管, 极性只认前面的三极管。这等效三极管的放大倍

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达林顿管的电路结构和特点有哪些? 达林顿管又叫复合三极管，它采用复合连接方式将两只或更多个三极管的集电极连在一起，而将第一只三极管的发射极直接耦合到第二只三极管的基极，依次连接而成，最终引出E、B 、C 三

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异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思 异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子从发射

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多晶硅发射极晶体管,多晶硅发射极晶体管是什么意思 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就

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NPN晶体管,NPN晶体管是什么意思 １９４７年１２月２３日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，３位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。

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PNP晶体管,PNP晶体管是什么意思 PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。

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共基极放大器,共基极放大器放大电路 交流信号电压叠加在直流电压上，使晶体管基极、发射极之间的正向电压发生变化，通过晶体管的控制作用，使集电极电流有更大的变化，它的变量在集电极电阻上产生大的电压变量，从

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共发射极放大器,共发射极放大器基本电路 共发射极放大器.能够把微弱的信号放大的电路叫做放大电路或放大器.输入的交流信号电压叠加在直流电压上，使晶体管基极、发射极之间的正向电压发生变化，通过晶体管的控制作

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共集电极放大器,共集电极放大器是什么意思 共集电极放大电路是三种晶体管放大电路中一种.它的输入信号与输出信号的公共端是三极管的集电极。又由于输出信号是从发射极引出的，因此这种电路也称为射极输出器、电压跟

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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是什么意思 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入

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IGBT的工作原理是什么? IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为

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绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的资料大全 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优

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