对应于压敏电阻电压的电流称为测试电流,通常指定为DC1mA。压敏电阻流过规定电流时产生的直流电压降与压敏电阻电压之比称为电压比。在规定的温度范围和脉冲电流条件之下,当压敏电阻器之内的温度变化1℃时,电压的相对变化百分比称为电压温度系数。脉冲电流从极大值的90%到极大值需要8μs。峰值持续时间为20分钟μs。工作电压通常为击穿电压的一半。它的主要特征参数是击穿电压Ub、剩余电压比η和承受损失能量W。
对应于压敏电阻电压的电流称为测试电流,通常指定为DC1mA。压敏电阻流过规定电流时产生的直流电压降与压敏电阻电压之比称为电压比。在规定的温度范围和脉冲电流条件之下,当压敏电阻器之内的温度变化1℃时,电压的相对变化百分比称为电压温度系数。
按规定的时间间隔和次数对压敏电阻施加规定的标准电流波形冲击之后,当压敏电阻器的电压变化率小于或等于技术条件之中规定的值时,所通过的大电流值称为浪涌电流容量,简称磁通量。在规定的时间(8μs/20μs)之内,允许脉冲电流的极大值。脉冲电流从极大值的90%到极大值需要8μs。峰值持续时间为20分钟μs。冲击试验左右压敏电阻器电压的相对变化百分比,称为电压变化率。当元件两侧的电压等于规定电流两侧电压的75%时,通过压敏电阻的直流电流称为漏电流。压敏电阻器在规定的环境温度之下的负载功率称为额定功率。压敏电阻器两侧存储的电荷与施加在压敏电阻器两侧的电压之比。
压敏电阻器不是一般意义之上的电阻器。它由一层隔离金属氧化物(如氧化锌)颗粒的绝缘膜组成,国外称为mov(金属氧化物压敏电阻器)。在低电压之下,电阻大,漏电流小。当电压升高时,压敏电阻器中的绝缘膜变成导体,电压略有升高,电流急剧增大,与齐纳管的击穿特性相似,能承受较大的瞬时功率。
压敏电阻通常并联在开关电源适配器输入端的火线与火线间、火线与中性线间,电感器件的端部作为浪涌和峰值电压吸收元件。工作电压通常为击穿电压的一半。它的主要特征参数是击穿电压Ub、剩余电压比η和承受损失能量W。
RS485基本知识介绍
时间:2026-04-18
什么是激光雷达?激光雷达的构成与分类
时间:2026-04-18
Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用
时间:2026-04-18
什么是磁电阻器?磁电阻特性及应用
时间:2026-04-18
什么是电场?电场在电容器中的应用
时间:2026-04-18
什么是ARM64?
时间:2026-04-17
vga和hdmi的区别
时间:2026-04-17
什么是ESD?ESD及TVS的原理和应用
时间:2026-04-17
开关电源原理与维修完整版 (10)_标清视频
时间:2026-04-16
开关电源原理与维修完整版 (11)_标清视频
时间:2026-04-16
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
北京理工大学实现了光导型向平面光伏型量子...
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
如何利用可扩展的柔性中间层制备超低模量电...
时间:2026-03-09
光伏控制器简介
时间:2026-03-06
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09