【2025 年8 月5 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司(Nasdaq:DIOD)推出符合汽车标准*的80V 理想二极管控制器AP74502Q和AP74502HQ,提供强大且可靠的反向连接保护和电压瞬变保护。典型产品应用包括高级驾驶辅助系统(ADAS)、车身控制模块、信息娱乐系统、外部照明和USB 充电端口。
这两款理想二极管控制器具备实现高效且快速反极性保护电路所需的所有功能,也具有负载断开功能,能够应对过压和欠压情况。凭借80V 电压能力,这两款器件适用于所有12V 和24V 电池,包括混合动力汽车和电池电动车(EV) 的电池,以及新兴的48V 系统。

向48V 系统过渡可为电动车创新奠定基础,实现电动涡轮增压和改良再生制动等功能。更高的电压也有助于高级信息娱乐系统和电动辅助元器件,还可以促成区域架构,使得配电更高效并减少布线需求。48V 系统的过压应力条件更严格,而两款器件的±80V 额定值就与此密切相关。
与具有反向电流阻隔功能的理想二极管不同,这两款器件适用于能量可能返回输入电源的产品应用。不过这两款器件也可配置为浪涌抑制器,在出现不受抑制的负载突降瞬变情况下,保护过压电源和下游负载。
AP74502Q 和AP74502HQ 控制器也支持低至3.2V 的输入电压,即使在严重冷启动条件下 (会导致电池电压大幅降低),也能确保正常可靠工作。两款器件的峰值栅极关断灌电流均为2.3A,可在必要时(例如出现过压或欠压情况) 快速关断外部N 通道MOSFET。
启用电荷泵时,工作静态电流(IQ) 为62µA,而停用模式下则为1µA。这能大幅降低系统的整体功耗,并将电池消耗降至绝对最低值。
AP74502Q 的峰值栅极拉电流典型值为60μA,可通过内置浪涌电流控制,实现流畅启动,这有利于必须限制初始电流浪涌的产品应用。相比之下,AP74502HQ 拥有更高的11mA 峰值栅极拉电流,与Diodes 早期理想二极管控制器产品类似。更强大的栅极驱动可以更快导通外部MOSFET,时间通常在1µs 以内。
AP74502Q和AP74502HQ采用业界标准的SOT28 封装,工作温度范围为-40°C 至+125°C。
Diodes Incorporated
Diodes 公司(Nasdaq:DIOD) 是一家标准普尔小型股600 指数和罗素3000 指数成员公司,为汽车、工业、运算、消费性电子及通讯市场的全球公司提供高质量半导体产品。我们拥有丰富的产品组合以满足客户需求,内容包括模拟与分立电源解决方案以及先进的封装技术。我们广泛提供特殊应用产品与解决方案导向销售,加上全球范围运营的工程、测试、制造与客户服务,使我们成为高产量、高成长的市场中成为优质供货商。
函数发生器、信号发生器和波形发生器的区别
时间:2026-06-06
电子元器件的常见封装 各种封装类型的特点介...
时间:2026-06-06
普通光敏二极管的检测
时间:2026-06-06
详细介绍8种常用的排序算法
时间:2026-06-06
s9013三级管引脚图及参数
时间:2026-06-06
电压跟随器有什么作用?
时间:2026-06-06
VRRP是什么?VRRP的作用和工作原理
时间:2026-06-05
32768晶振封装尺寸详解
时间:2026-06-05
静态路由是什么?静态路由如何配置?
时间:2026-06-05
一文详解光耦的作用与分类、使用技巧
时间:2026-06-05
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06