反激电源：反射电压

当MOS管关断之后，在DCM工作条件下的Vds电压变化展示如下图所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是开关电源的输入电压，而Vor就是反射电压。

在MOS管导通时，初级绕组电流增大，初级绕组（绕组的本质是电感）为了抑制电流增大，所以在磁芯内产生磁通量，初级绕组两端产生上正下负的感应电动势。而次级绕组为了抑制磁通量增强，次级绕组感应产生上负下正的感应电动势，输出二极管D1不导通。

在MOS管关断的初始时刻，初级绕组电流减小，绕组为了抑制电流减小，初级绕组两端产生上负下正的感应电动势。在此时刻的Vds为电压尖峰，Vds=输入电压Vin+初级绕组电感感应电动势(反射电压Vor)+初级绕组漏感感应电动势Vspike，此电压尖峰产生电流向RCD电路中的钳位电容C2进行充电。因为初级绕组漏感和功率开关管输出寄生电容的谐振作用影响，Vds会有一小段谐振振荡波形。而次级绕组为了抑制磁通量减弱，次级绕组感应产生上正下负，所以输出二极管D1导通，次级绕组向输出电容Co充电，向负载供电，输出电压为Vo。

MOS管断开一定时间之后，初级绕组漏感的能量已经被RCD吸收电路消耗，初级绕组电流持续减小，此时磁芯的磁通量持续减弱。次级绕组为了抑制磁芯的磁通量减弱，试图维持磁芯内的磁通量，次级绕组感应产生上正下负的电压。次级绕组仍向输出电容及负载供电，由于输出电容一般比较大，我们认为输出电压Vo基本不变，次级绕组两端的电压仍为Vo+Vd。

同样的初级绕组为了抑制磁芯的磁通量减弱，试图维持磁芯内的磁通量，初级绕组电感会产生上负下正的感应电压Vor，这个电压即是反射电压。因为MOS管关断且钳位电容C2两端的电压更高，所以此感应电压没有导通回路，所以不产生电流。

为什么两个初级绕组和次级绕组绕组感应电压的方向总是相反的？因为他们的同名端相反。

根据电感的感应电压公式V=匝数×磁通量变化率=N* dΦ/dt 。因为初级绕组和次级绕组都缠绕在同一个磁芯的中柱上，所以对初级绕组和次级绕组来说，磁通量是相同的，磁芯磁通量的变化率是一样的。换句话说，初级绕组感应电压和次级绕组感应电压的数值大小，只跟匝数有关系。也就是说，初级绕组电感的感应电压（反射电压）Vor=Nps×（Vo+Vd），其中Nps是初级绕组与次级绕组的匝数比，Vo是输出电压，Vd是输出二极管的正向导通压降。

因为输入电压与反射电压方向相同，所以这两个电压叠加在一起加在MOS的DS两端。在MOS管关断后Vds波形的中段位置，如图Figure 1-2所示Vds=Vin+Vor。