RC Corner基础知识详细讲解

90nm 更早的工艺，通常都只有两个RC Corner: Cworst = Cmax, Rmin;

Cbest =Cmin, Rmax 电容电阻特性分别占主导。

90nm后更新的工艺，考虑到互连线coupling的影响，出现了RCworst, RCbest corner. RCbest（也被称为XTALK Corner）= Cc max（此时耦合电容最大），Cg x R min RCworst（也被称为Delay Corner）= Cg x R max（此时RC的乘积最大）, Cc min Cc是耦合电容，Cg是对地电容

因此加起来就有4个RC Corner，

Cbest, Cworst, RCbest,

C-best：

•它具有最小的电容，所以也被称为Cmin Corner；

•互连电阻大于Typical Corner；

•此Corner导致那些nets都非常短的路径的延迟非常小，可用于hold分析。

C-worst：

•具有最大的电容，所以也被称为Cmax Corner；

•互连电阻小于Typical Corner;

•此Corner导致那些nets都非常短的路径的延迟非常大，可用于setup分析。

RC-best：

•指最小化互连RC乘积的Corner，所以也被称为RC-min Corner； •通常对应于较小的蚀刻，这增加了Trace（实际走线）的宽度。这导致最小的电阻，但其电容值要大于Typical Corner； •对于具有长互连的路径，该Corner具有最小的路径延迟，可用于hold分析。

RC-worst：

•指最大化互连RC乘积的Corner，所以也称为RC-max Corner；

•通常对应于较大的蚀刻，这会减少Trace（实际走线）的宽度，这导致最大的电阻，但其电容值要小于Typical Corner；

•对于具有长互连的路径，该Corner具有最大的路径延迟，可用于setup分析。

Typical：

•典型值，这是指互连电阻和电容的标称值。

总结： 所以你可能已经注意到有两种类型的寄生：一种是基于C的，另一种是基于RC的。 在基于C的里面，C意味着最差和最佳情况的电容C；

但在基于RC的里面，RC意味着最差和最佳情况的电阻R，同时调整C为最差或最佳。

根据经验，发现基于C的提取比基于RC的提取为内部时序路径提供了更差和最好的情况，因为电容主导了短线。

然而，对于大型设计，由于R在长导线中占优势，因此Block之间的时序路径（inter-block timing path通常）最差，RC寄生效应最差。

注意：没有Corner能保证任意晶体管驱动任意导线拓扑的最小或最大延迟 借助下面的图片，很容易理解该内容：

在先进工艺的下，会引入Double Pattern，考虑到不同Mask之间的misalign，因此会增加额外的CCworst和CCbest Corner。引入Double Pattern之后的Corner如下：

它们之间的RC关系如下：

审核编辑：刘清