CT81 型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.

CT81 型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:
①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4- 118。



②电容器试验电压:→般为1. 5 倍额定电压( +500V) ,外包封层耐压为1.5kV (直流)。
③绝缘电阻:>=1x10 11Ω。
④损耗角正切:<=200 x 10 - 4 。
①使用环境温度: 2XI温度特性, - 55℃ ~ +125℃; 2X2 、2D2 、2E2 温度特性,55 ℃ ~ + 85℃; 2X3 、2D3 、2DE 温度特性,-40℃ ~ +85℃。
VRRP是什么?VRRP的作用和工作原理
时间:2026-06-05
32768晶振封装尺寸详解
时间:2026-06-05
静态路由是什么?静态路由如何配置?
时间:2026-06-05
一文详解光耦的作用与分类、使用技巧
时间:2026-06-05
热插拔是什么?热插拔有哪些特点?
时间:2026-06-05
深度解析电磁炉的工作原理与常见故障
时间:2026-06-04
介绍电流互感器的6种常见接线方法
时间:2026-06-04
VGA接口的详细解读和应用
时间:2026-06-04
物联网新兴薄膜技术
时间:2026-06-04
接触器的规格、原理结构、应用接线
时间:2026-06-04
电阻的单位
时间:2026-03-05
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
贴片电阻怎么看阻值
时间:2026-03-05
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
HTCC:半导体封装的理想方式
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06