由于 t2 = T/2，故公式变为

芯片温度计算
一旦计算出两个芯片的功耗值，就可以使用数据表中的曲线计算芯片温度。 两个芯片的温度一般不相同。 每个芯片有一个 θ，并有一个交互作用系数 Psi。
θ 是从芯片到封装外壳或引线的热阻，它有不同的名称，例如 RΘJC 是结至外壳热阻。 Psi 是一个常数，表示芯片中未被计算的热效应。 它基于芯片之间的距离。
通常，对于 IGBT 使用的大多数 TO-247 和 TO-220 封装，0.15°C/W 是一个合理的估计值。

图 8. IGBT 热曲线

图 9. 二极管热曲线
图 8 和图 9 显示了典型封装中 IGBT 和二极管的热响应曲线。 曲线上给出了直流值。 对于 IGBT，它是 0.486°C/W； 对于二极管，它是 1.06°C/W。
为了计算给定功率水平对应的稳态温度，只需要功耗值、直流 θ 和外壳温度。 计算如下：

示例：

交互作用系数 Psi = 0.15°C/W
IGBT 的稳态结温为：

TJ-IGBT = 97.6°C（平均结温）
二极管的稳态结温为：

TJ-DIODE = 85.2°C（平均结温）
为了计算峰值结温，我们可以将脉冲值增加到稳态（或平均）温度中。 此计算需要上述计算得出的结温，并加上瞬时温度变化。
唯一需要的新常数是 IGBT 或二极管对于所需脉冲宽度的脉冲值。 在 50 Hz 的线频率下，半周期的时间为 10 ms。 根据图 8，对于 10 ms 脉冲和 50% 占空比，RIGBT 值为 0.375°C/W； 根据图 9，相同条件下的 RDIODE 值为 0.95°C/W。
基本公式如下：

因此，对于上述条件，峰值结温为： (责任编辑：admin)