图1 共射NPN型晶体管放大电路
（1）什么是输入特性曲线？

图2 三极管的输入特性曲线
输入特性曲线是指当集电极一射极电压UCE为常数时，基极电流iB与基极一射极电压UBE之间的关系曲线，如图2所示，即：输入特性曲线—— iB=f(UBE)|UCE常数。
由于三极管的发射结是一个PN结，且正向连接，所以三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线是一样的，其输入持性曲线的特点是：
（2）死区特点：当UBE<开启电压0.5V时（即硅晶体管UBE值的开启电压0.5V，锗三极管UBE值的开启电压0.2V），称为三极管的“死区”，由于UBE很小，此时基极电流iB为0，三极管处于截止状态。
（3）非线性区特点：当UBE>开启电压0.5V时（即对于硅晶体管UBE值的导通电压为0.6V，锗三极管UBE值的导通电压为0.3V），基极电流iB开始增大，三极管开始导通。UBE与iB成非线性关系。
三极管的输出特性
（1）什么是输出特性曲线？
三极管的输出特性是指在基极电流iB大小一定时，输出电压UCE与输出电流iC之间的关系。如图3所示，即：输出特性曲线—— iC=f(UCE)|iB=常数。

图3 三极管的输出特性曲线
输出特性曲线分为三个区域：
（2）截止区特点：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。该区域内UBE<0.5V(硅管)，此时，发射结反偏，集电结反偏。
（3）放大区特点：iC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管)。
（4）饱和区特点：iC受UCE显著控制的区域，该区域内UCE的数值较小，一般UCE<0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏。

 
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