晶体管是一种流行的三端半导体器件，用于开关和放大应用。我们今天使用的现代电子产品之所以成为可能，是因为晶体管在大幅减小电路板尺寸方面发挥了巨大作用。

BJT晶体管工作区域：

熟悉BJT晶体管的下一个重要事项是其工作区域。

晶体管可以在四个区域工作。工作区域决定了晶体管的应用。BJT晶体管的四个工作区域是

截止区域

饱和区域

活动区域

细分区域

上面提到的工作区域依赖于晶体管的三个重要参数。这些是集电极发射极电压VCE，集电极电流IC和基极电流IB。控制这三个参数将使我们能够在所需区域使用晶体管。

截止区域：

这是晶体管将处于关闭或切断状态的区域。晶体管将允许电流从发射极流向集电极（实际电流），只有当基极到发射极电压VBE超过0.7v时，才会使基极电流流动。因此，当施加在基极和发射极的电压VBE小于0.7V并且没有电流流过基极时，晶体管被称为在截止区域工作。

上图将帮助您更好地理解这一点。上图中以粉红色突出显示的阴影区域表示截断区域。它表明基极电流为零，V BE小于0.7V。即使集电极至发射极电压VCE增加，晶体管仍将保持在截止区域。因此，当基极电流为零时，集电极至发射极电压VCE的任何增加都不会以任何方式影响集电极电流，只要基极电流为零，晶体管就会处于关断状态。

在截止区域操作晶体管的条件

饱和区域：

晶体管的这个区域可以最好地描述为与截止区域相反。在截止区域，流经集电极和发射极的电流为零。然而，在饱和区域，最大电流将在没有任何调节的情况过集电极和发射极结。此最大电流取决于电源和负载的能力。设计人员有责任确保集电极电流IC不超过所用晶体管的最大额定电流。每个晶体管的额定值将承受一定的集电极电流，并且与晶体管型号和制造商不同。

如果您查看下图，蓝色阴影部分表示饱和区域。

要在饱和区基极端子中操作晶体管，应正向偏置，这意味着VBE》0.7v。这将迫使基极电流IB从发射极流向基极。该电流将影响下一个关键参数，即集电极发射极电压VCE，并迫使晶体管在饱和区域工作。

当基极电流为零时，VCE将等于施加的电压VCC。一旦基极电流开始流动，V CE将等于或小于VCEsat，这是集电极发射极饱和电压。此VCEsat的范围可能为0.1V至0.7V，具体取决于晶体管制造商和型号。V CE低于VCEsat的原因是，当没有电流流过基极时，从发射极流向集电极的电流将为零。因此，集电极上的电压将最大或等于VCC。然而，当电流流过基极时，它会启动从发射极流向集电极的电流。此时将出现虚拟短路，因为电流从发射极流向集电极。

在饱和区操作BJT晶体管的条件：

活动区域：

这是存在于截止和饱和区域之间的区域。在饱和区，集电极电流将最大，但在有源区，集电极电流IC可由基极电流IB控制。这里，从发射极流向集电极端子的集电极电流将由基极电流IB控制。因此，当用户想要使用BJT晶体管作为放大器时，该区域将很有用。