氧化镓(Ga2O3)以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。西安电子科技大学微电子学院何云龙、郑雪峰教授团队针对Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
编辑:黄飞 (责任编辑:admin) |
氧化镓(Ga2O3)以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。西安电子科技大学微电子学院何云龙、郑雪峰教授团队针对Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
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