IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成门控晶闸管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）都是用于高功率电力电子设备的开关器件，但它们的结构和工作原理有所不同，主要区别如下：

　　结构：IGBT是由一个N型金属氧化物场效应管（MOSFET）和一个PNP型双极晶体管（BJT）组成，而IGCT则是由两个PNP型双极晶体管组成。因此，IGCT的结构更为复杂，且面积更大。

　　电压等级：IGCT一般用于高压、高电流应用，可以承受几千伏的电压等级，而IGBT一般用于中高压应用，电压等级一般在1200V以下。

　　开关速度：IGCT开关速度相对较慢，一般在数百微秒以上，而IGBT的开关速度可以达到几十纳秒，因此在高频应用中更为适用。

　　效率：IGBT的导通损耗较小，因此效率较高，而IGCT的导通损耗较大，效率相对较低。

　　开关能力：IGCT的开关能力较高，可以承受较大的电流冲击，而IGBT的开关能力相对较弱。

　　反向阻断能力：IGCT具有较好的反向阻断能力，可实现双向开关，而IGBT则需要外接反向并联二极管才能实现反向阻断。

　　总之，IGCT和IGBT都是高功率电子设备的重要开关器件，它们在电路结构、电压等级、开关速度、效率、开关能力和反向阻断能力等方面有所不同，具体应用需要根据实际情况进行选择。