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N沟道和P沟道MOSFET的开关电路讲解

时间:2023-06-30 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
MOSFET 由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物 半导体 )+FET(Field Effect Transistor场效应 晶体管 )这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。

MOSFET功率场效应晶体管,大多数用作开关和驱动器,工作于开关状态,耐压从几十伏到上千伏,工作电流可达几安培到几十安。功率MOSFET基本上都是增强型MOSFET,它具有优良的开关特性。

N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的开关电路

N沟道MOSFET

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N沟道MOSFET开关电路图

当按下按钮时,LED亮起。1kΩ 电阻充当下拉电阻,将栅极电压保持在与电池负极端子相同的电位,直到按下按钮。这会在栅极施加正电压,打开漏极和源极引脚之间的通道,并允许电流流过 LED。

P沟道MOSFET

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P沟道MOSFET开关电路图

综合整理自头条号李工谈元器件、 头条号品质人生质量之音

(责任编辑:admin)
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