氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。

氮化嫁功率器件的特性

1、没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的。这类似于电容里面的介质击穿。也正是这样的原因，一般对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右，而氮化晟器件需要提供更高的电压裕量，650V器件至少需要900V以上的击穿电压。

2、没有p型氮化嫁管，如果要用氮化嫁做模拟和数字IC，其设计和硅IC差异较大。

3、最大门级电压被限制在了7V，且于现有的硅驱动IC不兼容;第四，虽然GaN材料特性远好过硅，且有高电子迁移率的二维电子气，但因受制于横向器件固有的一些问题，其优点并没有得到充分发挥。

氮化镓功率器件的优点

1、具有良好的热稳定性；

2、具有良好的电性能；

3、具有良好的耐压性能；

4、具有良好的耐热性能；

5、具有良好的耐腐蚀性能。

氮化镓功率器件的缺点

1、价格较高；

2、制造工艺复杂；

3、容易受到外界环境的影响。

氮化镓功率器件的可靠性分析

GaN晶体管在工作过程中利用具有高载流子密度和高电子迁移率的2D电子气体（2DEG）的AlGaN / GaN异质结构。在此阶段，可能存在多种技术复杂性，特别是高漏极电压电流崩溃，其中一旦施加高漏极电压，漏极电流就会降低。为了消除这种捕获，已经使用电场释放来解决漏极崩溃问题，以阻止这种捕获，使GaN样品可用于开关系统的分析。此外，GaN晶体管在蜂窝基站中高频功率晶体管的商业化中也有应用。尽管电压已增加到50V，但系统可以证明晶体管在较高电压下的平稳运行。图2显示了GaN晶体管的电流崩溃

图2：GaN晶体管的电流崩溃。

栅极注入晶体管的可靠性：AlGaN/GaN中的高载流子浓度使得GaN晶体管的常关操作略有问题。必须从p栅极注入空穴，以增强通道处电子的形成。这个过程称为电导率调制。这导致低导通电阻和高漏极电流，即使在通常关闭的晶体管中也是如此。栅极注入晶体管（GITs）可用作替代品，通过在异质结上放置p型AlGaN栅极来消除此问题。通过这样做，通道在门下完全耗尽。700mnC的低RonQg（Ron：导通电阻，Qg：栅极电荷）比最先进的超级结Si MOS小三分之一，具有显着更高的高速开关潜力。脉冲电流-电压 （I-V） 测量用于描述 GIT 在硅衬底上的电流崩溃。使用关断状态和零偏置状态的栅极电压，以及非常短的漏极脉冲。图 3 显示了 GIT 的示意图横截面。

图3：GIT的工作原理/工作原理图