耗尽模式和增强模式MOS管是什么

耗尽型MOSFET：

耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压 （VGS） 以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此，由于电流的流动受耗尽区形成的影响，所以称为耗尽型 MOSFET。

增强型MOSFET：

增强型 MOSFET 类似于闭合开关。在此模式下，施加栅极-源极电压 （VGS） 以开启器件。当负电压施加到 MOSFET 的栅极端时，携带正电荷的空穴在氧化层附近聚集，形成从源极到漏极的沟道。随着电压变得更负，通道宽度增加，电流增加；因此它被称为增强型MOSFET。

耗尽模式和增强模式MOS管的区别

1、工作原理不同

耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型MOS管的VGS （栅极电压）可以用正、零负电压控制导通。

增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。即：增强型MOS管必须使得VGS》VGS （th） （栅极阈值电压）能导通。

2、结构不同

耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 （必须小于0.5V） 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。