场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（金属硅场效应管）、IGBT（晶体管场效应管）等。

　　场效应管的工作原理是当电场作用于场效应管的极化层时，极化层内的电子流动会受到控制，从而改变场效应管的电阻值，从而控制电路的输出电压。具有体积小、功耗低、响应速度快、可靠性高、抗干扰能力强等性能特点。

　　场效应管具有如下特点：

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

　　（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　场效应管的使用优势主要有：1、具有较高的放大增益；2、具有较低的输入电阻和输出电阻；3、具有较低的噪声系数；4、具有较高的稳定性；5、具有较低的漏电流；6、具有较低的温度系数；7、具有较低的功耗；8、具有较高的可靠性。

　　场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。

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