NMOS晶体管是一种电子元件，它是一种半导体晶体管，其中N指的是n型半导体材料，它具有负极性，可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动，以及控制电路的输入和输出信号。

　　NMOS晶体管工作原理

　　NMOS晶体管它由一个源极、一个漏极和一个控制极组成。当控制极上的电压高于源极时，晶体管就会导通，从而允许电流从源极流向漏极。当控制极上的电压低于源极时，晶体管就会断开，从而阻止电流从源极流向漏极。

　　NMOS晶体管的功能特性

　　NMOS晶体管在接收到非零电压时充当闭合电路，这意味着源端和漏极之间的连接起到导线的作用。因此，电源接收来自栅极端子的电流。当该晶体管获得约0V的电压时，源极端子和漏极之间的连接将被破坏，形成开路，导致电流从栅极端子流向漏极。

　　下面显示了NMOS晶体管的I-V属性。源极和漏极 （VDS） 之间以及栅极和源极 （VGS） 之间的电压。因此，IDS和VDS之间的曲线是通过简单地将电源的端子接地，设置初始VGS值，然后将VGS值从“0”步进到“VDD”以将VDS设置为最高直流电压值来获得的。因此，IDS非常小，对于非常低的VGS将呈现线性趋势。当VGS值上升时，IDS改进并开发了对VGS和VDS的以下依赖关系。