阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

NMOS晶体管的阈值电压公式

nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。

阈值电压怎么求

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法（JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15，1995），计算阈值电压方法的过程

方法A相对来说比较容易操作，在早期的阈值电压测试中会经常用到，不过现在随着工艺的先进，这种方法再够精准无误了，所以，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。正确计算的方法如下，根据线性区的电流方程：

nmos晶体管的阈值电压与哪些因素有关

一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，栅极材质和电介质中的过剩电荷。

1、背栅的掺杂

背栅（backgate）的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂

越重，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调整。

2、电介质

电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。

3、栅极的物质成分

栅极（gate）的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就施加在gate oxide上。

4、介电层与栅极界面上过剩的电荷

GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。

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