NCS325SN2T1G型号元器件是提供精密性能的CMOS运算放大器，零漂移架构允许连续自动校准，提供非常低的偏移、随时间和温度的接近零漂移，以及仅在 35 mA(最大)静态电流时接近平坦的 1/f 噪声，这些优势使这个器件成为精密直流应用的理想选择，这种运算放大器提供轨到轨输入和输出性能，并针对低至 1.8 V 和高达 5.5 V 的低压运行进行了优化。

NCS325、NCS2325 和 NCS4325 都是提供精密性能的 CMOS 运算放大器，单通道 NCS325 采用节省空间的 SOT23-5 封装，双通道 NCS2325 可用于 Micro8、SOIC-8 和 DFN-8，四通道 NCS4325 在 SOIC-14 中可用。本文将为您详细介绍NCS325SN2T1G型号运算放大器的功能参数等产品信息：

规格参数

电路图

引脚连接图

电流感应图

NCS325SN2T1G型号运算放大器具有轨到轨共模输入电压范围，输入和电源轨之间的二极管可防止输入电压超过电源轨，运算放大器具有不同程度的 EMI 敏感性。半导体结可以拾取和整流 EMI 信号，在输出端产生 EMI 引起的电压偏移，使总误差增加另一个分量，输入引脚对 EMI 最敏感。 NCS325、NCS2325 和 NCS4325 集成了一个低通滤波器，以降低其对 EMI 的敏感性。

低端电流检测的目标是检测过流条件或作为反馈控制方法，检测电阻与负载串联放置到地，通常，检测电阻的值小于 100 mW 以降低功率 电阻上的损耗， 运算放大器通过外部电阻器 R1、R2、R3 和 R4(其中 R1= R2，R3 = R4)再次设置检测电阻器上的电压降，高精度需要精密电阻，增益设置为利用 ADC 的满量程以获得最高分辨率。

为确保最佳器件性能，遵循良好的 PCB 设计实践非常重要，将 0.1 mF 去耦电容尽可能靠近电源引脚， 保持走线短，利用接地层，选择表面贴装元件，并将元件放置在尽可能靠近器件引脚的位置。这些技术将降低对电磁干扰的敏感性，热电效应可以在输入引脚上产生额外的温度相关偏移电压，为了减少这些影响，请使用热电系数低的金属，并防止热源或冷却风扇产生温度梯度。

以上就是NCS325SN2T1G型号运算放大器的产品介绍。