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集成电路芯片工艺流程

时间:2017-07-27 12:34来源:未知 作者:y930712 点击:
集成电路芯片工艺流程 功率晶闸管工艺流程 一次氧化---一次光刻(正反面)---P型预扩散---P型再扩散---镓预扩(硼预扩)--再扩散浓硼光刻(正反面)---硼预扩散---硼再扩散---发射光刻
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集成电路芯片工艺流程
功率晶闸管工艺流程
  一次氧化---一次光刻(正反面)---P型预扩散---P型再扩散---镓预扩(硼预扩)--再扩散—浓硼光刻(正反面)---硼预扩散---硼再扩散---发射光刻(正反面)---磷预扩散---磷再扩散—台面光刻(正反面)--台面腐蚀---SIPOS钝化—玻璃钝化---引线光刻(正反面)---金属沉积---金属光刻(正反面)---合金---背面金属沉积—真空合金---分片测试—划片出厂。

保护器件工艺流程:
1:Sidactor(放电管)工艺流程:
一次氧化-一次光刻(正反面)--P型掺杂—再扩散—发射光刻(正反面)-磷预扩—再扩散—引线光刻(正反面)---金属沉积---金属光刻(正反面)---合金---测试---划片出厂
2:TVS(瞬态抑制二极管)工艺流程:
一次氧化---镓预扩---再扩散---硼预扩---再扩散---台面光刻(单面或双面)---SIPOS—玻璃钝化---金属沉积---热处理---测试---划片出厂

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