片上电感器件应用市场分析:
近年来，迅速普及的手机、便携电脑等小型化无线通讯产品和电子设备的发展，对其构件不断要求短小轻薄以及高性能和低成本。为了与这些产品的发展相适应，精细加工、增大晶片直径的芯片加工工艺不断进步，同时，采用 Si-CMOS 工艺技术的射频模拟电路设计方面的进步也十分明显。在封装工艺方面也引进开发了系统内封装（SIP）技术，由此可以大幅度压缩封装空间。尤其是以芯片叠装为特征的多层芯片封装（MCP）技术，可以将不同功能的芯片融为一体成组件封装（POP），使得封装空间变为极小的 WLP 等。这些实现高密度封装的新工艺技术正在扩大使用范围。其中，WLP 工艺在半导体制造过程中不用切割芯片，可用整个晶圆片形态进行封装，图 1 是 WLP 技术与原有封装技术的比较。在目前的制造工艺中，集成电路（IC）的封装都是将单个芯片一片一片地封装在一起的，所以，在本质上封装尺寸均比芯片尺寸大，成本也较高。而且，对于微电子机械系统（MEMS）装置和传感器产品而言，它们的封装成本要占总成本的 50%~70%。与此比较，晶片级封装（WLP）技术是由晶片原状加上绝缘树脂层、二次布线层、焊盘一起封装后进行切片。切成的单个芯片已具备了封装后的器件功能，它们可以采用常规帖片机安装。因此，封装尺寸和芯片尺寸大小相等，可实现最终的小型化封装。除此之外，晶片的直径越大，芯片的尺寸越小，则从每块晶片上得到的芯片数就越多，每个芯片的价格也就自然地降低了。通常情况下，考虑到封装的可靠性，3×3(mm2)的芯片尺寸可以确定为 WLP 和一般封装的界限。

近几年来，以上所述的 WLP 技术已得到逐步推广，一些厂商开展了包括 WLP 在内的基础研究工作。这些研究工作的目的，是为了代替现用的封装技术，以缩小封装空间。
为了充分发挥 WLP 技术的特点和优势，并根据用现有的半导体工艺尚不能达到的功能，各有关公司开展了以下一些研发工作：
① 为了用绝缘树脂膜覆盖整个晶片，可采用前后两道工序加工：即 IC 加工和后 IC 加工。
② 厚膜绝缘树脂层可使得后 IC 加工制成的器件与 Si 基片的距离相隔 10 μm。
③ 因为使用电镀生成的厚的“铜箔”布线，可以降低线条的电阻值。
④ WLP 和基片的安装是采用撞击（bump）进行的，因此有利于降低引线键合产生的杂散电感值。
⑤ 可以利用一些与现成的 WLP 制造工艺相同的工艺技术，故减少了附加成本，而且可以保证封装产品的高可靠性，大批量生产的效率较高。
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