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PAM控制型逆变器采用绝缘栅极晶体管IGBT代替场效应管MOSFET，还可以进一步降低损耗。以电动机功率2kW，直流电压300V，开关频率25kHz的逆变器为例，采用IGBT代替MOSFET，导通阻抗损耗从60W变为18W，导通损耗从10W变为18W，关断损耗从5W变为22W，快速二极管FRD损耗都为5W,合计:采用MOSTET总损耗90W，采用IGBT总损耗73W。 (责任编辑：admin) |
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PAM控制型逆变器采用绝缘栅极晶体管IGBT代替场效应管MOSFET，还可以进一步降低损耗。以电动机功率2kW，直流电压300V，开关频率25kHz的逆变器为例，采用IGBT代替MOSFET，导通阻抗损耗从60W变为18W，导通损耗从10W变为18W，关断损耗从5W变为22W，快速二极管FRD损耗都为5W,合计:采用MOSTET总损耗90W，采用IGBT总损耗73W。 (责任编辑：admin) |
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