MEMS神经网络:以零电路和低功耗同时执行传感和计算任务
电子元件2026-03-22
TTL逆变器和NAND门实验研究
电子元件2026-03-09
自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来,各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。
NAND里的LDO设计
电子元件2026-03-09
我们当然希望LDO的输出准确、负载(电流)变化时能够快速响应。 像图2所示:
NAND Flash嵌入式存储系统设计
电工问答2026-03-07
如今Windows仍是桌面系统的主流,对FAT文件系统提供了天然的支持。然而就技术而言,FAT文件系统并不适合Flash,因为Flash设备并不是块设备[1],为了不破坏兼容性,并在NAND型闪存中应用FAT文件系统,国际上提
电工问答2026-03-07
上周东芝及西部数据宣布,已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程,并将于2017年上半年开始量产,不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报导,三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND,三星表示,目
电工问答2026-03-06
2016年第二季度起,存储器行业的产品价格出现回升,但是行业整体仍然处于周期性底部,而在这种情况下,国内逆周期投资有望推动国内厂商成为市场内崛起的新生力量。
SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量产
电工问答2026-03-05
在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局, 三星电子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米制程TLC芯片量产,一举领先目前停留在43奈米制程的东芝,至于英特尔(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片将于200
RS485基本知识介绍
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