电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-09

汽车芯片问题似乎得到了解决，但事情并未完全结束。 汽车正迅速成为“滚动的计算机”，需要许多微芯片来为各种电子功能提供动力。在向纯电动汽车(BEV) 过渡的过程中，汽车制造商无法在纯粹的性能上实现差异化，

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电子元件2026-03-09

我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体

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电子元件2026-03-09

碳化硅(SiC)技术已达到临界点，即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。

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电子元件2026-03-09

中科意创完成数千万元A＋轮融资 日前，汽车功率半导体厂商中科意创完成数千万元A+轮融资，此次投资是创新工场的独家投资。融资资金主要用于建设中科意创功率半导体先进封装产线。

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电子元件2026-03-09

交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。然而，这两项要求都挑战了硅（Si）基器件的基本极限。新兴的宽带隙碳化硅（SiC）功率器件

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电子元件2026-03-09

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道

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电子元件2026-03-09

SA111 SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。

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电子元件2026-03-09

本文作者：安森美高级产品线经理Jonathan Liao 随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时

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电子元件2026-03-09

近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。与相比之下，单晶AlN基器件的热阻抗降至AlN/蓝宝石基器件的1/3（

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电子元件2026-03-09

前言 在电动汽车的逆变器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代传统的硅基逆变器时，SiC 解决方案将带来约 5-10% 的效率提升。这意味着更多的电力被输送到电机，而不是浪费在直流-交流电力转换过程中

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电子元件2026-03-09

　　英飞凌推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间

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电子元件2026-03-09

作为目前碳化硅MOSFET型号最丰富的国产厂商派恩杰，不仅在功率器件性能上达到国际一流厂商水平，在AC BTI可靠性上更是超越国际一流厂商。总裁黄兴博士用高性能和高可靠性的产品证明派恩杰是国产碳化硅功率器件的佼

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电子元件2026-03-07

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能，通过使用超薄的氮化镓铝（AlGaN）缓冲层而不是更常见的复杂、厚的AlN/AlGaN结构[Yuting Sun et

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电子元件2026-03-07

SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。

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