电工基础知识

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

  • [电工基础] 三极管放大电路原理详解 日期:2024-03-01 15:20:11 点击:30 好评:0

    三极管放大 电路原理 此章讲解搭建一个三极管放大电路,实现一个微小正弦波的放大电路,如下图。 当基极产生一个 电流 波形,基极电流Ib,当Ib被放大β倍,形成 Ic ,Rc的电压为U...

  • [电工基础] 适合空间受限应用的低功耗精密数据采集信号链 日期:2024-03-01 15:20:08 点击:31 好评:0

    对于仪表、 工业 及医疗产业中的许多应用,系统设计人员开发了大量数据采集卡,与各种类型 传感器 实现 接口 ,如 光学 、温 度、压力、磁性、振动和声学传感器等等。这些传感器...

  • [电工基础] 三极管引脚介绍 三极管基本电流关系 日期:2024-03-01 15:20:08 点击:36 好评:0

    双极型 晶体管 分为NPN管和PNP管。N 英文 Negative(负),N型 半导体 :在4价硅材料中掺杂少量的5价元素如砷、磷等,行程N型掺杂半导体。所谓P英文Postive(正),指P型半导体:在4价的...

  • [电工基础] 浅谈晶体管的下一个25年 日期:2024-03-01 15:20:08 点击:31 好评:0

    75任何 芯片 的基本组成部分都是 晶体管 ,它最近迎来了 75岁生日。今天我们将讨论下一个 25 年。 晶体管本质上是 电流 开关。施加到其“栅极”的电压会导致电流在其“源极”和“漏...

  • [电工基础] SiC-MOSFET与IGBT的区别 日期:2024-02-24 12:57:56 点击:31 好评:0

    与 IGBT 的区别:Vd-Id特性 Vd-Id特性是 晶体管 最基本的特性之一。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。 请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET 的Id相对Vd(Vds)呈线性增加,但由于IGBT有上升电...

  • [电工基础] 高速差分ADC驱动器设计指南 日期:2024-02-24 12:57:56 点击:35 好评:0

    John Ardizzoni 和 Jonathan Pearson 引言 大多数现代高性能 ADC 使用差分输入抑制共模噪声和干扰。 由于采用了平衡的 信号 处理方式,这种方法能将动态范围提高2倍,进而改善系统总体性能。...

  • [电工基础] SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别 日期:2024-02-24 12:57:54 点击:31 好评:0

    本文将介绍与Si- MOSFET 的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个 参数 ,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注...

  • [电工基础] 电流检测放大器工作原理及作用 日期:2024-02-24 12:57:54 点击:34 好评:0

    电流检测 放大器 工作原理 电流 检测 放大器的工作原理是通过利用变压器结构将测量的 信号 放大,然后由 电容 、互补对称 电阻 和识别放大器等组件将信号进行有效的处理,从而使...

  • [电工基础] 电压放大器和电荷放大器的区别 日期:2024-02-24 12:57:54 点击:32 好评:0

    电压 放大器 电压放大器(Voltage Amplifier)是提高 信号 电压的装置。对弱信号,常用多级放大,级联方式分直接 耦合 、阻容耦合和变压器耦合,要求放大倍数高、频率响应平坦、失真...

  • [电工基础] 功率晶体管的结构与特征比较 日期:2024-02-20 18:16:55 点击:43 好评:0

    功率晶体管的结构与特征比较 下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。 使用的工艺技术不同结构也不同,因而 电气 特征也不同。补充说明一下,DMOS是平面型...

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