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[电工基础] 双路放大器THS4032CDGN特性介绍日期：2023-09-04 11:36:15 点击：39 好评：0
THS4032CDGN是超低电压噪声、高速电压反馈放大器，适用于需要低电压噪声的应用，包括通信和成像应用。双路放大器THS4032CDGN可提供卓越的交流性能，带宽为100MHz（G= 2），压摆率为...
[电工基础] SiC MOSFET学习笔记：各家SiC厂商的MOSFET结构日期：2023-09-04 11:36:15 点击：119 好评：0
当前量产主流SiC MOSFET 芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。如上图，左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片（宏观图）其中G区是栅极焊盘（gate p...
[电工基础] 基于Xilinx K7-410T的高速DAC之AD9129开发笔记（一）日期：2023-09-04 11:36:15 点击：45 好评：0
引言：从本文开始，我们介绍下项目中设计的并行LVDS高速 DAC 接口设计，包括DAC与 FPGA 硬件接口设计、软件设计等。项目设计高速DAC采用了 ADI 公司的 AD 9129，该芯片最大更新速率5...
[电工基础] 浅谈数字光电耦合器主要参数日期：2023-09-04 11:36:13 点击：36 好评：0
数字光电耦合器（Digital Optocoupler）是一种电气和光学隔离器件，用于将数字信号传输和隔离。它通常由光电二极管和光敏晶体管组成，具有以下主要参数： 1. 隔离电压（Iso...
[电工基础] SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策日期：2023-09-04 11:36:13 点击：75 好评：0
摘要针对SiC MOSFET 模块应用过程中出现的串扰问题，文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比，有效减小测量误差；然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升...
[电工基础] 浅谈OLF100晶体管和OLC249光电耦合器芯片的应用日期：2023-09-04 11:36:13 点击：32 好评：0
OLF100 晶体管输出光耦合器的功效 OLF100晶体管输出光耦合器主要是由一个发光二极管组成，并且该发光二极管与安装在8针密封表面安装扁平封装中的NPN硅光电晶体管光学耦合。...
[电工基础] 运放输入失调电压(Vos)和温漂(ΔVos/ΔT) 日期：2023-09-04 11:36:10 点击：39 好评：0
输入失调电压（Vos）和温漂(ΔVos/ΔT)是运放直流参数中比较重要的参数，本文主要介绍运放的失调电压和温漂，帮助工程师快速理解。本文由江苏润石资深FAE-Colin Qin 撰写 1输入...
[电工基础] 功率MOSFET基本结构：平面结构日期：2023-09-04 11:36:10 点击：43 好评：0
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Sem ic onduct or Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器...
[电工基础] 浅谈MOS管损坏之谜日期：2023-09-04 11:36:10 点击：32 好评：0
第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的...
[电工基础] 浅谈双匹配放大器的原理和结构设计日期：2023-09-04 11:36:08 点击：34 好评：0
双匹配放大器是一种常见的放大器电路，在射频和微波通信应用中使用广泛。它具有高增益、高稳定性、宽带宽等优点，因此被广泛用于收发信机、功率放大器等电路中。下面我...